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An accurate dual-gate HFET nonlinear model for millimeter-wave MMIC design

机译:用于毫米波MMIC设计的精确双栅极HFET非线性模型

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摘要

An accurate nonlinear model for dual-gate HFETs is presented in this paper. Because of the complexity of the global equivalent circuit, the dual-gate transistor is modeled as two single-gate devices in cascode configuration. A good agreement between the measured and simulated performance is obtained, and its validity is proved as it was used for the design of an MMIC mixer at V-band.© 1998 John Wiley & Sons, Inc. Int J RF and Microwave CAE 8: 315–320, 1998.
机译:本文提出了一种用于双栅极HFET的精确非线性模型。由于全局等效电路的复杂性,双栅晶体管被建模为共源共栅配置中的两个单栅器件。在测量和仿真性能之间取得了良好的一致性,并证明了其在V频段上用于MMIC混频器设计的有效性。©1998 John Wiley&Sons,Inc. Int J RF和Microwave CAE 8: 315–320,1998年。

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  • 作者单位

    DÉpartement HyperfrÉquences et Semiconducteurs Institut d'Electronique et de MicroÉlectronique du Nord U.M.R. C.N.R.S. 9929 UniversitÉ de Lille I Avenue PoincarÉ-B.P. 69 59652 Villeneuve D'Ascq Cedex France;

    SODIELEC Route de Mayres Saint Georges de LuzenÇon 12100 Millau France;

    DÉpartement HyperfrÉquences et Semiconducteurs Institut d'Electronique et de MicroÉlectronique du Nord U.M.R. C.N.R.S. 9929 UniversitÉ de Lille I Avenue PoincarÉ-B.P. 69 59652 Villeneuve D'Ascq Cedex France;

    DÉpartement HyperfrÉquences et Semiconducteurs Institut d'Electronique et de MicroÉlectronique du Nord U.M.R. C.N.R.S. 9929 UniversitÉ de Lille I Avenue PoincarÉ-B.P. 69 59652 Villeneuve D'Ascq Cedex France;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    mixer; MMIC; dual-gate HFET; nonlinear model;

    机译:混频器;MMIC;双栅HFET;非线性模型;

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