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首页> 外文期刊>International journal of RF and microwave computer-aided engineering >New small-signal extraction method applied to GaN HEMTs on different substrates
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New small-signal extraction method applied to GaN HEMTs on different substrates

机译：新的小型信号提取方法应用于不同基材的GaN Hemts

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In this article, a new extraction technique is proposed to extract the smallsignal parameters of gallium nitride (GaN) high electron mobility transistors (HEMTs) on three different substrates namely, Si, SiC, and Diamond. This extraction technique used a single small-signal circuit model to efficiently describe the physical and electrical properties of GaN on different substrates. This technique takes into account any asymmetry between the gate-source and gate-drain capacitances on the asymmetrical GaN HEMT structure, chargetrapping effects, passivation layer inclusion, as well as leakage currents associated with the nucleation layer between the GaN buffer layer and the different substrates. The extracted values were then optimized using the grey wolf optimizer. The proposed technique was demonstrated through a close agreement between simulated and measured S-parameters.
机译：在本文中，提出了一种新的提取技术，以提取三种不同基材上的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的小型参数即，Si，SiC和金刚石。该提取技术使用单个小信号电路模型，以有效地描述不同基板上GaN的物理和电性能。该技术考虑了栅极源和栅极 - 漏电容之间的任何不对称性，在不对称的GaN HEMT结构，心脏录制效果，钝化层包含，以及与GaN缓冲层和不同基板之间的成核层相关联的漏电流。然后使用灰狼优化器优化提取的值。通过模拟和测量的S参数之间的密切一致来证明所提出的技术。

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