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首页> 外文期刊>Japanese journal of applied physics >Modelling of proton irradiated GaN-based high-power white light-emitting diodes
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Modelling of proton irradiated GaN-based high-power white light-emitting diodes

机译：质子辐照的GaN基大功率白色发光二极管的建模

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We report the effects of high-energy (23GeV) proton irradiation at large fluences on packaged high-power GaN-based white light-emitting diodes with YAG: Ce phosphors. From optical and electrical measurements, we assume that proton irradiation degrades only the GaN LED die up to fluences of at least 2 x 10(14) p/cm(2), and we demonstrate that it produces nonradiative recombination centres which increase the leakage current and diminish the carrier density in the quantum wells and hence the output optical power. We also propose for the first time a model correlating optical and electrical degradation induced by radiation. (C) 2018 The Japan Society of Applied Physics
机译：我们报告了高能量（23G​​eV）质子辐照对YAG：Ce荧光粉封装高功率GaN基白色发光二极管的影响。根据光学和电学测量，我们假设质子辐照仅会使GaN LED裸片降级至至少2 x 10（14）p / cm（2）的注量，并且我们证明它产生了非辐射复合中心，从而增加了泄漏电流。并减小了量子阱中的载流子密度，从而减小了输出光功率。我们还首次提出了一种模型，该模型将辐射引起的光和电降解相关。 （C）2018日本应用物理学会

著录项

  • 来源
    《Japanese journal of applied physics》 |2018年第8期|080304.1-080304.5|共5页
  • 作者

    Floriduz Alessandro; Devine James D.;

  • 作者单位

    CERN, Engn Dept, Elect Grp, Elect Network Projects Sect, CH-1211 Geneva 23, Switzerland;

    CERN, Engn Dept, Elect Grp, Elect Network Projects Sect, CH-1211 Geneva 23, Switzerland;

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  • 正文语种 eng
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