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首页> 外文期刊>Japanese journal of applied physics >Investigation of parasitic resistance and capacitance effects in nanoscaled FinFETs and their impact on static random-access memory cells
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Investigation of parasitic resistance and capacitance effects in nanoscaled FinFETs and their impact on static random-access memory cells

机译：研究纳米级FinFET中的寄生电阻和电容效应及其对静态随机存取存储单元的影响

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A thorough investigation of the parasitic resistance and capacitance (RC) effects of a single-fin FinFET on logic CMOS devices and circuits is presented. As parasitic RC effects become increasingly prominent in nanoscaled FinFET technologies, they are critical to the overall device and circuit performance. In addition, the effects of dummy patterns as well as multifin structures are analyzed and modeled in detailed. By incorporating parasitic resistance and capacitance extracted by both measurement and simulation, the static and dynamic performance characteristics of standard six transistor static random-access memory (6T-SRAM) cells are comprehensively evaluated as an example of parasitic RC effects in this investigation. (C) 2017 The Japan Society of Applied Physics
机译：全面研究了单鳍FinFET对逻辑CMOS器件和电路的寄生电阻和电容（RC）的影响。随着寄生RC效应在纳米级FinFET技术中日益突出，它们对于整体器件和电路性能至关重要。此外，详细分析了虚拟图案以及多鳍结构的影响并建模。通过合并通过测量和仿真提取的寄生电阻和电容，可以全面评估标准六个晶体管静态随机存取存储器（6T-SRAM）单元的静态和动态性能特征，作为本研究中寄生RC效应的一个示例。 （C）2017日本应用物理学会

著录项

  • 来源
    《Japanese journal of applied physics》 |2017年第4s期|04CD11.1-04CD11.5|共5页
  • 作者

    Huang Bo-Rong; Meng Fan-Hsuan; King Ya-Chin; Lin Chrong Jung;

  • 作者单位

    Natl Tsing Hua Univ, Inst Elect Engn, Microelect Lab, Hsinchu 300, Taiwan;

    Natl Tsing Hua Univ, Inst Elect Engn, Microelect Lab, Hsinchu 300, Taiwan;

    Natl Tsing Hua Univ, Inst Elect Engn, Microelect Lab, Hsinchu 300, Taiwan;

    Natl Tsing Hua Univ, Inst Elect Engn, Microelect Lab, Hsinchu 300, Taiwan;

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