...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Japanese journal of applied physics >High performance red-emitting multiple layer InGaN/GaN quantum dot lasers
【24h】

High performance red-emitting multiple layer InGaN/GaN quantum dot lasers

机译：高性能发红光多层InGaN / GaN量子点激光器

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

InGaN/GaN self-organized quantum dots can provide useful advantages over quantum wells for the realization of long-wavelength visible light sources because the dots are formed by strain relaxation. A III-nitride based laser emitting in the red (lambda similar to 630 nm), which has not been demonstrated with quantum wells, would be useful for a host of applications. We have investigated the epitaxy and characteristics of self-organized InGaN/GaN multiple layer quantum dots grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy and have optimized their properties by tuning the growth parameters. Red-emitting (lambda similar to 630 nm) quantum dots have radiative lifetime similar to 2.5 ns and internal quantum efficiency greater than 50%. Edge-emitting red-lasers with multi-dot layers in the active region exhibit an extremely low threshold current density of 1.6 kA/cm(2), a high temperature coefficient T-0 = 240 K, and a large differential gain dg/dn = 9 x 10(-17) cm(2). (C) 2016 The Japan Society of Applied Physics
机译：InGaN / GaN自组织量子点可提供优于量子阱的有用优势，因为该点是通过应变松弛形成的，因此可以实现长波长可见光源。尚未通过量子阱证明的，以红色（λ波长类似于630 nm）发射的，基于III族氮化物的激光将对许多应用有用。我们研究了通过等离子体辅助分子束外延生长的自组织InGaN / GaN多层量子点的外延和特性，并通过调整生长参数优化了其性能。发出红色光（λ类似于630 nm）的量子点的辐射寿命接近2.5 ns，内部量子效率大于50％。有源区域中具有多点层的边缘发射红激光显示极低的阈值电流密度，为1.6 kA / cm（2），高温系数T-0 = 240 K和大差分增益dg / dn = 9 x 10（-17）厘米（2）。 （C）2016年日本应用物理学会

著录项

  • 来源
    《Japanese journal of applied physics》 |2016年第3期|032101.1-032101.4|共4页
  • 作者

    Frost Thomas; Hazari Arnab; Aiello Anthony; Baten Md Zunaid; Yan Lifan; Mirecki-Millunchick Joanna; Bhattacharya Pallab;

  • 作者单位

    Univ Michigan, Dept Elect Engn & Comp Sci, Ann Arbor, MI 48109 USA;

    Univ Michigan, Dept Elect Engn & Comp Sci, Ann Arbor, MI 48109 USA;

    Univ Michigan, Dept Elect Engn & Comp Sci, Ann Arbor, MI 48109 USA;

    Univ Michigan, Dept Elect Engn & Comp Sci, Ann Arbor, MI 48109 USA;

    Univ Michigan, Dept Mat Sci & Engn, Ann Arbor, MI 48109 USA;

    Univ Michigan, Dept Mat Sci & Engn, Ann Arbor, MI 48109 USA;

    Univ Michigan, Dept Elect Engn & Comp Sci, Ann Arbor, MI 48109 USA;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号