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首页> 外文期刊>Japanese journal of applied physics >Effective enhancement of hydrophilicity of solution indium zinc oxide-based thin-film transistors by oxygen plasma treatment of deposition layer surface
【24h】

Effective enhancement of hydrophilicity of solution indium zinc oxide-based thin-film transistors by oxygen plasma treatment of deposition layer surface

机译：通过氧等离子体处理沉积层表面有效提高溶液型铟锌氧化物基薄膜晶体管的亲水性

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In this paper, we describe the use of a simple and efficient sol-gel solution method for synthesizing indium zinc oxide (IZO) films for use as semiconductor channel layers in thin-film transistors (TFTs) on p-type silicon substrates. The performance of IZO-based TFTs was investigated, and the effect of oxygen plasma treatment on the surface of dielectric SiNx was observed. Oxygen plasma treatment effectively enhanced the electron mobility in IZO-based TFT devices from 0.005 to 1.56 cm(2)V(-1) s(-1), an increase of more than 312 times, and effectively enhanced device performance. X-ray photoelectron spectroscopy analysis of the IZO film was performed to clarify element bonding. (C) 2016 The Japan Society of Applied Physics
机译：在本文中，我们描述了一种简单有效的溶胶-凝胶溶液方法，用于合成铟锌氧化物（IZO）膜，以用作p型硅衬底上的薄膜晶体管（TFT）中的半导体通道层。研究了基于IZO的TFT的性能，并观察了氧等离子体处理对电介质SiNx表面的影响。氧等离子体处理有效地将基于IZO的TFT器件中的电子迁移率从0.005提高到1.56 cm（2）V（-1）s（-1），增加了312倍以上，并有效地增强了器件性能。对IZO膜进行X射线光电子能谱分析以阐明元素结合。 （C）2016年日本应用物理学会

著录项

  • 来源
    《Japanese journal of applied physics》 |2016年第6期|066501.1-066501.5|共5页
  • 作者

    You Hsin-Chiang; Wang Yu-Chih;

  • 作者单位

    Natl Chin Yi Univ Technol, Dept Elect Engn, Taichung 41170, Taiwan;

    Natl Chin Yi Univ Technol, Dept Elect Engn, Taichung 41170, Taiwan;

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