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首页> 外文期刊>Japanese journal of applied physics >Low-temperature oxidation of 4H-SiC using oxidation catalyst SrTi1-xMgxO3-delta
【24h】

Low-temperature oxidation of 4H-SiC using oxidation catalyst SrTi1-xMgxO3-delta

机译：使用氧化催化剂SrTi1-xMgxO3-delta进行4H-SiC的低温氧化

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A thermal oxidation method with SrTi1-xMgxO3-delta used as an oxidation catalyst is proposed to oxidize the 4H-SiC surface at low temperatures. The rate constant for the interfacial reaction of the 4H-SiC(0001) Si-face at 800 degrees C is enhanced by approximately two orders of magnitude from that of conventional dry oxidation. The method enables the production of a gate SiO2 layer of a MOSFET at temperatures below 900 degrees C. Electrical characterization of the MOS interface suggests that the catalytic oxidation produces similar interface state densities to those produced by conventional dry oxidation in the energy range of 0.2-0.5 eV from the conduction band edge at 1300 degrees C. (C) 2016 The Japan Society of Applied Physics
机译：提出了以SrTi1-xMgxO3-δ为氧化催化剂的热氧化方法，以在低温下氧化4H-SiC表面。与常规干法氧化反应相比，4H-SiC（0001）Si面在800摄氏度的界面反应的速率常数提高了大约两个数量级。该方法能够在低于900摄氏度的温度下生产MOSFET的栅极SiO2层。MOS界面的电特性表明，催化氧化产生的界面态密度与传统干氧化在0.2-0.2的能量范围内产生的界面态密度相同。在1300摄氏度时距导带边缘0.5 eV。（C）2016日本应用物理学会

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  • 来源
    《Japanese journal of applied physics》 |2016年第10期|108001.1-108001.3|共3页
  • 作者

    Li Li; Ikeda Akihiro; Asano Tanemasa;

  • 作者单位

    Kyushu Univ, Grad Sch Informat Sci & Elect Engn, Fukuoka 8190395, Japan;

    Kyushu Univ, Grad Sch Informat Sci & Elect Engn, Fukuoka 8190395, Japan;

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