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Miniband formulation in Ge/Si quantum dot array

机译：Ge / Si量子点阵列中的微带公式

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摘要

In this work, we estimate the coupling effect of miniband structure and density of states (DoS) resulting from different qunatum-dot physical parameters in a well-aligned Ge/Si quantum dot (QD) array fabricated by neutral beam etching technology. The density of QDs dominates the coupling effect and miniband's bandwidth, the radius of QDs affects the magnitude of energy levels and miniband bandwidth, and the thickness of QDs has a great impact on the magnitude of energy levels. Among the different shapes of Ge/Si QDs, discoid QDs exhibit the most band crossing and broadest bandwith under the same physical parameters. (C) 2016 The Japan Society of Applied Physics
机译：在这项工作中，我们估计了由中性束刻蚀技术制造的排列良好的Ge / Si量子点（QD）阵列中不同量子点物理参数所导致的微带结构和状态密度（DoS）的耦合效应。量子点的密度支配耦合效应和微带的带宽，量子点的半径影响能级和微带带宽的大小，量子点的厚度对能级的大小有很大的影响。在不同形状的Ge / Si量子点中，盘状量子点在相同的物理参数下表现出最多的能带穿过和最宽的带隙。 （C）2016年日本应用物理学会

著录项

  • 来源
    《Japanese journal of applied physics》 |2016年第4s期|04EJ14.1-04EJ14.5|共5页
  • 作者

    Tsai Yi-Chia; Lee Ming-Yi; Li Yiming; Samukawa Seiji;

  • 作者单位

    Natl Chiao Tung Univ, Inst Commun Engn, Dept Elect & Comp Engn, Parallel & Sci Comp Lab, Hsinchu 300, Taiwan;

    Natl Chiao Tung Univ, Inst Commun Engn, Dept Elect & Comp Engn, Parallel & Sci Comp Lab, Hsinchu 300, Taiwan;

    Natl Chiao Tung Univ, Inst Commun Engn, Dept Elect & Comp Engn, Parallel & Sci Comp Lab, Hsinchu 300, Taiwan;

    Tohoku Univ, Inst Fluid Sci, Sendai, Miyagi 9808577, Japan|Tohoku Univ, Adv Inst Mat Res, World Premier Int Res Ctr Initiative, Sendai, Miyagi 9808577, Japan;

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