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首页> 外文期刊>Japanese journal of applied physics >Short-wavelength, mid- and far-infrared intersubband absorption in nonpolar GaN/Al(Ga)N heterostructures
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Short-wavelength, mid- and far-infrared intersubband absorption in nonpolar GaN/Al(Ga)N heterostructures

机译：非极性GaN / Al（Ga）N异质结构中的短波，中红外和远红外子带吸收

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This paper assesses nonpolar m-oriented GaN: Si/Al(Ga)N heterostructures grown on free-standing GaN for intersubband optoelectronics in the short-wavelength, mid-and far-infrared ranges. Characterization results are compared with reference c-plane samples and interpreted by correlation with self-consistent Schrodinger-Poisson calculations. In the near-and mid-infrared regions, we demonstrate m-GaN/Al(Ga) N multi-quantum-wells exhibiting room-temperature intersubband absorption tunable in the range of 1.5-5.8 mu m (827-214 meV), the long wavelength limit being set by the second order of the Reststrahlen band in the GaN substrates. Extending the study to the far-infrared region, low-temperature intersubband transitions in the 1.5-9 THz range (6.3-37.4 meV) are observed in larger m-plane GaN/AlGaN multi-quantum-wells, covering most of the 7-10THz band forbidden to GaAs-based technologies. (C) 2016 The Japan Society of Applied Physics
机译：本文评估了短波长，中红外和远红外范围内用于子带间光电的自支撑GaN上生长的非极性m取向GaN：Si / Al（Ga）N异质结构。将表征结果与参考c平面样本进行比较，并通过与自洽Schrodinger-Poisson计算的相关性进行解释。在近红外和中红外区域，我们展示了m-GaN / Al（Ga）N多量子阱，其室温子带间吸收可调范围为1.5-5.8μm（827-214 meV）， GaN基板中的Reststrahlen带的二阶设置长波长限制。将研究扩展到远红外区域，在较大的m平面GaN / AlGaN多量子阱中观察到了1.5-9 THz范围内的低温子带跃迁（6.3-37.4 meV），涵盖了大多数7-基于GaAs的技术禁止使用10THz频段。 （C）2016年日本应用物理学会

著录项

  • 来源
    《Japanese journal of applied physics》 |2016年第5s期|05FG05.1-05FG05.4|共4页
  • 作者

    Lim Caroline B.; Beeler Mark; Ajay Akhil; Lahnemann Jonas; Bellet-Amalric Edith; Bougerol Catherine; Schoermann Joerg; Eickhoff Martin; Monroy Eva;

  • 作者单位

    Univ Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France|CEA, INAC PHELIQS, F-38000 Grenoble, France;

    Univ Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France|CEA, INAC PHELIQS, F-38000 Grenoble, France;

    Univ Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France|CEA, INAC PHELIQS, F-38000 Grenoble, France;

    Univ Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France|CEA, INAC PHELIQS, F-38000 Grenoble, France;

    Univ Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France|CEA, INAC PHELIQS, F-38000 Grenoble, France;

    Univ Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France|CNRS, Inst Neel, F-38000 Grenoble, France;

    Univ Giessen, Inst Phys 1, D-35392 Giessen, Germany;

    Univ Giessen, Inst Phys 1, D-35392 Giessen, Germany;

    Univ Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France|CEA, INAC PHELIQS, F-38000 Grenoble, France;

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