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首页> 外文期刊>Japanese journal of applied physics >New Cu(GeNx) film in barrierless metallization for LED heat dissipation
【24h】

New Cu(GeNx) film in barrierless metallization for LED heat dissipation

机译：无障碍金属化中的新型Cu（GeNx）膜用于LED散热

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摘要

In this study, we explore new Cu(Ge) and Cu(GeNx) films for LED heat dissipation. The films are Cu-alloy seed layers, fabricated by co-sputtering Cu and Ge in an Ar or N-2 atmosphere on either Ta/Al2O3 or polyimide substrates. The Cu alloy films are then annealed at 600 and 730 degrees C, respectively, for 1 h without notable Cu oxide formation at the Cu-Ta/Al2O3 interface. No Cu oxide is formed at the Cu-polyimide interface either after annealing the films at 310 degrees C for 1 h. The film formed atop an Al2O3 substrate contains a trace amount of GeNx and is thermally stable up to 730 degrees C, and the film formed atop a polyimide substrate is thermally stable up to 310 degrees C, both exhibiting a low resistivity and a high thermal conductivity. Such a thermal feature makes the Cu(GeNx) film a good candidate material in barrierless metallization for many industrial applications, such as LED heat sinks. (C) 2015 The Japan Society of Applied Physics
机译：在这项研究中，我们探索了用于LED散热的新型Cu（Ge）和Cu（GeNx）薄膜。薄膜是铜合金籽晶层，通过在Ar / N-2气氛中在Ta / Al2O3或聚酰亚胺衬底上共同溅射Cu和Ge制成。然后将铜合金薄膜分别在600和730摄氏度下退火1小时，而在Cu-Ta / Al2O3界面上不会形成明显的氧化铜。在310摄氏度下将薄膜退火1小时后，在Cu-聚酰亚胺界面上不会形成Cu氧化物。在Al2O3衬底上形成的膜含有微量的GeNx，在高达730摄氏度的条件下具有热稳定性，在聚酰亚胺衬底上形成的薄膜在310摄氏度的条件下具有热稳定性，均表现出低电阻率和高导热率。这种热特性使Cu（GeNx）膜成为无障碍金属化中许多工业应用（例如LED散热器）的良好候选材料。 （C）2015年日本应用物理学会

著录项

  • 来源
    《Japanese journal of applied physics》 |2015年第5s期|05ED04.1-05ED04.8|共8页
  • 作者

    Lin Chon-Hsin;

  • 作者单位

    Asia Pacific Inst Creat, Dept Biotechnol, Toufen 351, Taiwan.;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
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