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首页> 外文期刊>Japanese journal of applied physics >Influence of low energy argon plasma treatment on the moisture barrier performance of hot wire-CVD grown SiN_x multilayers
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Influence of low energy argon plasma treatment on the moisture barrier performance of hot wire-CVD grown SiN_x multilayers

机译：低能氩等离子体处理对热线CVD生长的SiN_x多层膜的湿气阻隔性能的影响

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摘要

The reliability and stability are key issues for the commercial utilization of organic photovoltaic devices based on flexible polymer substrates. To increase the shelf-lifetime of these devices, transparent moisture barriers of silicon nitride (SiN_x) films are deposited at low temperature by hot wire CVD (HW-CVD) process. Instead of the conventional route based on organic/inorganic hybrid structures, this work defines a new route consisting in depositing multilayer stacks of SiN_x thin films, each single layer being treated by argon plasma. The plasma treatment allows creating smoother surface and surface atom rearrangement. We define a critical thickness of the single layer film and focus our attention on the effect of increasing the number of SiN_x single-layers on the barrier properties. A water vapor transmission rate (WVTR) of 2 × 10~(-4)g/(m~2·day) is reported for SiN_x multilayer stack and a physical interpretation of the plasma treatment effect is given.
机译：可靠性和稳定性是基于柔性聚合物基板的有机光伏器件商业应用的关键问题。为了增加这些设备的保质期，在低温下通过热线CVD（HW-CVD）工艺沉积了氮化硅（SiN_x）薄膜的透明防潮层。代替基于有机/无机杂化结构的常规方法，这项工作定义了一种新方法，该方法包括沉积SiN_x薄膜的多层堆叠，每个单层均通过氩等离子体处理。等离子体处理可以产生更平滑的表面和表面原子重排。我们定义了单层膜的临界厚度，并将我们的注意力集中在增加SiN_x单层数对阻挡性能的影响上。据报道，SiN_x多层堆叠的水蒸气透过率（WVTR）为2×10〜（-4）g /（m〜2·day），并给出了等离子体处理效果的物理解释。

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  • 来源
    《Japanese journal of applied physics》 |2014年第5s1期|05FM05.1-05FM05.5|共5页
  • 作者

    Subimal Majee; Maria Fatima Cerqueira; Denis Tondelier; Bernard Geffroy; Yvan Bonnassieux; Pedro Alpuim; Jean Eric Bouree;

  • 作者单位

    Laboratoire de Physique des Interfaces et des Couches Minces, Ecole Polytechnique, CNRS UMR 7647, 91128 Palaiseau, France;

    Centro de Fisica, Universidade do Minho, 4710-057 Braga, Portugal;

    Laboratoire de Physique des Interfaces et des Couches Minces, Ecole Polytechnique, CNRS UMR 7647, 91128 Palaiseau, France;

    Laboratoire de Physique des Interfaces et des Couches Minces, Ecole Polytechnique, CNRS UMR 7647, 91128 Palaiseau, France,Laboratoire de Chimie des Surfaces et Interfaces, IRAMIS/SPCSI CEA Saclay, 91191 Gif-sur-Yvette, France;

    Laboratoire de Physique des Interfaces et des Couches Minces, Ecole Polytechnique, CNRS UMR 7647, 91128 Palaiseau, France;

    Centro de Fisica, Universidade do Minho, 4710-057 Braga, Portugal,INL-International Iberian Nanotechnology Laboratory, 4715-330 Braga, Portugal;

    Laboratoire de Physique des Interfaces et des Couches Minces, Ecole Polytechnique, CNRS UMR 7647, 91128 Palaiseau, France;

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