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Simulation of secondary electron emission from a stepped surface in scanning ion microscopes

机译：在扫描离子显微镜中模拟阶梯表面的二次电子发射

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For the use of scanning ion microscopes in device metrology, secondary electron (SE) emission from step patterns formed on a silicon substrate is investigated by simulation. The entire surface of a step is irradiated by H, He, Ne, and Ga ions with energies of 10-50 keV to form the line profile of the SE yield. Because of their highly localized production of SEs, light-ion beams result in clearer peaks in the line profile than heavy-ion beams. The recoiling atoms and cascade electrons contribute to the height of the SE peak, but tend to broaden it as well. Both the peak height and width decrease with decreasing step height. The presence of an inclining side wall in the step largely decreases the peak height and increases the peak width. Reducing the ion energy decreases the height gradually, but produces no clear change in the width.
机译：为了在设备计量学中使用扫描离子显微镜，通过仿真研究了硅衬底上形成的台阶图案的二次电子（SE）发射。台阶的整个表面被H，He，Ne和Ga离子照射，能量为10-50 keV，以形成SE产率的线形。由于离子束高度局部化，因此与重离子束相比，离子束在线轮廓中产生更清晰的峰。反冲原子和级联电子有助于SE峰的高度，但也倾向于使其变宽。峰高和峰宽都随着台阶高度的减小而减小。台阶中倾斜侧壁的存在会大大降低峰高并增加峰宽。降低离子能量会逐渐降低高度，但不会产生明显的宽度变化。

著录项

  • 来源
    《Japanese journal of applied physics》 |2014年第6s期|06JB01.1-06JB01.5|共5页
  • 作者

    Kaoru Ohya;

  • 作者单位

    Institute of Technology and Science, The University of Tokushima, Tokushima 770-8506, Japan;

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  • 正文语种 eng
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