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【24h】

Side-Illuminated Color Photosensor

机译:侧面照明彩色光电传感器

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摘要

We have proposed a simple method for color imaging in which the photosensor is illuminated from the side. In this method, color imaging can be produced using single pixels and without generating false colors and moire patterns. A 5.0 × 5.0 mm~2 test chip was fabricated using a 0.35 μm complementary metal oxide semiconductor (CMOS) 1-poly 4-metal process. Because the side illumination method is used, the side of the test chip was etched using a high-speed deep reactive ion etching (D-RIE) process. Light illumination experiments confirmed that four colors-blue, green, red, and near-infrared-could be separated using this method. We also estimated the color separation properties of a similar sensor based on a 0.18 μm CMOS process.
机译:我们提出了一种简单的彩色成像方法,其中从侧面照亮光电传感器。在这种方法中,可以使用单个像素进行彩色成像,而不会产生假色和波纹图案。使用0.35μm互补金属氧化物半导体(CMOS)1-poly 4-metal工艺制造了5.0×5.0 mm〜2的测试芯片。因为使用侧面照明方法,所以使用高速深反应离子蚀刻(D-RIE)工艺蚀刻了测试芯片的侧面。光照实验证实,使用这种方法可以分离出蓝色,绿色,红色和近红外四种颜色。我们还基于0.18μmCMOS工艺估算了类似传感器的分色特性。

著录项

  • 来源
    《Japanese journal of applied physics》 |2013年第4issue2期|04CE10.1-04CE10.6|共6页
  • 作者单位

    Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology, Iizuka, Fukuoka 820-8502, Japan;

    Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology, Iizuka, Fukuoka 820-8502, Japan;

    Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology, Iizuka, Fukuoka 820-8502, Japan;

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  • 正文语种 eng
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