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机译:修正的Devonshire-Ginzburg-Landau模型的钛酸钡单晶的材料特性
Nanomaterials Development Department 32, Nanomaterials Technology Development Center, Corporate R&D Headquarters, CANON, Inc., Ota, Tokyo 146-8501, Japan;
Nanomaterials Development Department 32, Nanomaterials Technology Development Center, Corporate R&D Headquarters, CANON, Inc., Ota, Tokyo 146-8501, Japan;
机译:修正的Devonshire-Ginzburg-Landau模型的多域结构钛酸钡单晶材料性能模拟
机译:基于层压材料的单晶和多晶铁电材料建模-在四方钛酸钡中的应用
机译:偏置对钛酸钡单晶储能材料中铁电畴摩擦成像的影响
机译:单晶和薄膜锶钛酸锶的电动力学性能,钛酸锶钛酸锶
机译:钛酸锆锆钡-钛酸钡钙无铅材料体系的微观结构和压电性能。
机译:畴壁体积分数不同的畴工程钛酸钡单晶的压电性能
机译:偏差对单晶钡矿储存材料中铁电域摩擦成像的影响
机译:具有钙钛矿结构的陶瓷材料的电导率和介电性能以及钙钛矿系,钛酸锶钡和锆酸锶钡的固态反应研究技术报告1957年11月17日 - 1958年3月31日