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机译:5.4-9.2 GHz 19.5 dB互补金属氧化物半导体超宽带接收机前端低噪声放大器
Research Institute for Nanodevice and Bio Systems, Hiroshima University, Higashihiroshima, Hiroshima 739-8527, Japan;
Research Institute for Nanodevice and Bio Systems, Hiroshima University, Higashihiroshima, Hiroshima 739-8527, Japan;
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机译:具有片上集成天线的3.5-4.5 GHz互补金属氧化物半导体超宽带接收机前端低噪声放大器,用于芯片间通信
机译:在90 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺中设计和实现5-6 GHz的1-V变压器磁反馈低噪声放大器(LNA)
机译:适用于SAW不足3G / 4G FDD分集接收机的0.4-6 GHz 17-dBm B1dB 36-dBm IIP3通道选择低噪声放大器
机译:一种低噪声前端放大器,具有65 dB CMOS技术,在100–120 GHz的频率下具有15 dB的增益
机译:95 GHz硅锗低噪声放大器作为稀疏孔径毫米波成像的前端接收器。
机译:面向短距离无线应用的2.4 GHz无平衡窄带接收机前端的实现
机译:毫米波互补金属氧化物半导体元件和宽带低噪声放大器的表征和设计