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机译:勘误表:“在低施加电压下用于蛋白质结晶的透明细胞” [Jpn。 J.应用物理50(2011)048003]
Department of Electrical and Electronics System Engineering, Ibaraki National College of Technology, Hitachinaka, Ibaraki 312-8508, Japan;
Present Division of Sustainable Energy and Environmental Engineering, Osaka University, Suita, Osaka 565-0871, Japan;
机译:勘误表:“使用传统的互补金属氧化物半导体技术制造高灵敏度多晶硅纳米线场效应晶体管pH传感器”。 J.应用物理50,04DL05(2011)]
机译:勘误表:“石墨烯边缘的性质:评论” [Jpn。 J.应用物理50(2011)070101]
机译:勘误表:“铌酸钴钴镁钡陶瓷的结构和微波介电特性关系” [Jpn。 J.应用物理50(2011)091503]
机译:降压+半桥(d = 50%)拓扑适用于超低压电源转换器
机译:勘误表:基于傅里叶的磁感应层析成像法用于绘制电阻率图 J.应用物理109014701(2011)
机译:错误:“在ALN模板上生长的293 nm AlGaN UVB LED的外部量子效率提高”JPN。 J. Appl。物理。 58,SAAF01(2019)