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首页> 外文期刊>Japanese journal of applied physics >Arsenic-Doped n-Type Diamond Grown by Microwave-Assisted Plasma Chemical Vapor Deposition
【24h】

Arsenic-Doped n-Type Diamond Grown by Microwave-Assisted Plasma Chemical Vapor Deposition

机译：微波辅助等离子体化学气相沉积法生长掺砷n型金刚石

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We grew n-type arsenic (As)-doped single-crystal diamond layers using tertiarybutylarsine as an As source. The n-type conduction of the As-doped layers was confirmed both in Hall measurements and from the current-voltage characteristics of the diodes. In the As-doped layers, electron concentration increased with As concentration in the layers. The ionization energy of the As donor decreased from 1.6 to 0.7 eV with As concentration from 1 × 10~(17) to 9 × 10~(19)cm~3. A diamond p-n junction diode with an n-type As-doped layer exhibited a rectification ratio of ~1000 at ±10V at room temperature.
机译：我们使用叔丁基ar作为As源生长了n型掺杂砷的单晶金刚石层。在霍尔测量中以及从二极管的电流-电压特性中都确认了As掺杂层的n型导电。在掺杂As的层中，电子浓度随着层中的As浓度而增加。当As浓度从1×10〜（17）cm降至9×10〜（19）cm〜3时，As供体的电离能从1.6eV降低至0.7eV。具有n型As掺杂层的金刚石p-n结二极管在室温下在±10V时显示约1000的整流比。

著录项

  • 来源
    《Japanese journal of applied physics》 |2010年第11期|p.110209.1-110209.3|共3页
  • 作者

    Makoto Kasu; Michal Kubovic;

  • 作者单位

    NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan;

    NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan;

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