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【24h】

Increasing the Contrast Ratio of Organic Light-Emitting Diode by Organic-Metal Light-Absorbing Layer in Black Cathode

机译：黑阴极中有机金属吸光层提高有机发光二极管的对比度

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摘要

In this study, we fabricated an organic-metal light-absorbing layer to form a black cathode to improve the display contrast ratio (CR) of organic light-emitting diodes (OLEDs). The proposed black cathode consists of a thin Al layer (10nm), an organic-metal light-absorbing layer (100nm) and a thick Al layer (100 nm). The best performance of. the organic-metal light-absorbing layer is obtained using a mixture of 25% copper phthalocyanine (CuPc), 25% 4-(dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran (DCJTB), and 50% Al. By using this black cathode, the best performance of OLEDs is obtained at an average reflectance of 11.3% and a reflectance variation of 3.3% over the visible spectrum. Moreover, the CR (at 250cd/m~2) is 10.8 under ambient illuminance of 250 Ix and 1.23 under a sunny sky of 23,450 Ix. The black cathode can realize an increase in conductivity as well as a decrease in the reflection of ambient light, and can also improve both the device performance and the CR. The proposed black cathode has great potential for use outdoors and in high-contrast OLED displays.
机译：在这项研究中，我们制造了有机金属光吸收层以形成黑色阴极，以提高有机发光二极管（OLED）的显示对比度（CR）。提出的黑色阴极由一个薄的Al层（10nm），一个有机金属吸光层（100nm）和一个厚的Al层（100nm）组成。表现最佳。使用25％的酞菁铜（CuPc），25％的4-（二氰基亚甲基）-2-叔丁基-6-（1,1,7,7-四甲基julolidyl-9 -烯基）-4H-吡喃（DCJTB）和50％的Al。通过使用该黑色阴极，在可见光谱上的平均反射率为11.3％，反射率变化为3.3％时，可获得OLED的最佳性能。此外，在250 Ix的环境照度下，CR（在250cd / m〜2下）为10.8，在23450 Ix的晴天下为1.23。黑色阴极可以实现电导率的增加以及环境光反射的减少，并且还可以改善器件性能和CR。提出的黑色阴极在户外和高对比度OLED显示器中具有巨大的潜力。

著录项

  • 来源
    《Japanese journal of applied physics》 |2010年第1issue1期|012102.1-012102.4|共4页
  • 作者

    Peng Yu Chen; Meiso Yokoyama; Herng Yih Ueng;

  • 作者单位

    Department of Electrical Engineering, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung 804, Taiwan, Republic of China;

    Department of Electronic Engineering, I-Shou University, Kaohsiung County 840, Taiwan, Republic of China;

    Department of Electrical Engineering, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung 804, Taiwan, Republic of China;

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