...
机译:粉末合成Ti_(1-x)Ge_xO_2固溶体的溶解度范围和能带隙
The Research Institute for Electric and Magnetic Materials, Sendai 982-0807, Japan;
机译:(Ba_(1-x)Bi_(0.5x)Sr_(0.5x))(Ti_(1-x)Bi_(0.5x)Zr_(0.5x))O_3固溶陶瓷的优异热稳定性和低介电损耗
机译:取决于能隙差异的梯度带隙Si_(1-x)Ge_x(0.2≤x≤1),Si_(1-x)Ge_x(0.5≤x≤1)固溶体中的热电效应
机译:Na(1-x)La_xTa_(1-x)Co_xO_3固溶体对可见光光催化的带隙调整
机译:Ti_(1-X)Sn_XO_2固溶体DOS和带结构性质的理论分析
机译:高过渡温度下x-铋(B')臭氧-(1-x)钛酸铅和x-铋(B',B'')臭氧-钛酸铅钛酸钙固溶体的研究。
机译:高能铣削诱导纳米结构Cu-Cr固体溶液中固体溶解度和结构演化的延伸
机译:高极化后密度泛函理论研究 半导体pb(Ti $ _ {1-x} $ Ni $ _ {x} $)O $ _ {3-x} $固体解决方案:效果 带隙上的阳离子排列
机译:在si(0(le)x(le)上生长的si(sub 1-x)C(sub x)和si(sub 1-x)Ge(sub x)C(sub y)半导体合金的介电函数和带隙0.014)