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【24h】

Molecular Beam Epitaxial Growth of High Power Quantum Dot Super-Luminecent Diodes

机译:高功率量子点超发光二极管的分子束外延生长

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摘要

We report optimised epitaxial growth conditions which allow the realization of high power quantum dot super-luminescent diodes. The engineering of the thickness of the low growth temperature GaAs barrier layer results in a significant improvement in laser device performance and a concomitant improvement in super-luminescent diode performance.
机译:我们报告了优化的外延生长条件,该条件允许实现高功率量子点超发光二极管。低生长温度GaAs阻挡层的厚度的工程设计导致激光器件性能的显着改善以及超发光二极管性能的伴随改善。

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