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【24h】

Deep-Level Characterization of Tris(8-hydroxyquinoline) Aluminum with and without Quinacridone Doping

机译：含和不含喹ac啶酮掺杂的Tris（8-羟基喹啉）铝的深层表征

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We have investigated band gap states in tris(8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq_3) with and without quinacridone (Qd) doping on fabricated indium-tin-oxide (ITO)/Alq_3(:Qd)/LiF/Al devices by a deep-level optical spectroscopy (DLOS) technique. A nondoped Alq_3 sample shows a discrete trap level located at ～1.39 eV below the lowest unoccupied molecular orbital band in addition to near-band-edge transitions at 2.2-3.6 eV. This pronounced 1.39 eV level is attributable to the intrinsic nature of Alq_3 and can be activated as an efficient generation-recombination (GR) center that may affect photophysical properties. On the other hand, a Qd-doped Alq_3 sample exhibits a new deep level at ～2.40 eV with increasing double-carrier injection rate, corresponding to the highest occupied molecular orbital band of Qd. Simultaneously, this GR center is subject to charge up positively owing to the presence of holes injected into the Qd doping level of the Qd-doped Alq_3 sample.
机译：我们已经研究了在深锡-氧化铟锡（ITO）/ Alq_3（：Qd）/ LiF / Al器件上掺杂和不掺杂喹ac啶酮（Qd）的三（8-羟基喹啉）铝（Alq_3）中的带隙状态。液位光谱法（DLOS）技术。未掺杂的Alq_3样品显示了一个离散的陷阱能级，位于最低的未占据分子轨道带以下约1.39 eV，此外在2.2-3.6 eV处有近带边跃迁。此明显的1.39 eV水平可归因于Alq_3的固有性质，可以作为可能影响光物理特性的有效的生成重组（GR）中心被激活。另一方面，掺Qd的Alq_3样品随着双载流子注入速率的增加，在〜2.40 eV处呈现出新的深能级，对应于Qd的最高分子轨道带。同时，由于向掺Qd的Alq_3样品的Qd掺杂水平注入了空穴，该GR中心正向充电。

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