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【24h】

Polarity Control of ZnO on N-Terminated GaN(0001) Surfaces

机译：N端GaN（0001）表面上ZnO的极性控制

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We investigated the dynamics of zinc and oxygen adatoms deposited as atomic zinc and atomic oxygen on an N-polarity GaN(0001) surface, and the stability of 1 ML ZnO on an N-polarity GaN(0001) interfacial structure by first-principles calculation. We found that the adatom dynamics on an N-terminated GaN(0001) surface shows Zn polarity. However, we found in our calculated results that the most stable structure for 1 ML ZnO on an N-polarity GaN(0001) interface has O polarity. We found that the key to change the polarity of ZnO crystals grown on the N-terminated GaN(0001) surface is Zn-O interaction. We suggested that the optimal initial growth conditions for the growth of a Zn-polarity ZnO crystal on the N-terminated GaN(0001) surface are suitable low temperature and stoichiometric growth conditions that weaken the effect of Zn-O interaction.
机译：我们通过第一性原理研究了在N极性GaN（0001）表面上沉积为原子锌和原子氧的锌和氧原子的动力学，以及1 ML ZnO在N极性GaN（0001）界面结构上的稳定性。 。我们发现在N端GaN（0001）表面上的吸附原子动力学表现出Zn极性。但是，我们在计算结果中发现，N极性GaN（0001）界面上1 ML ZnO的最稳定结构具有O极性。我们发现改变N端GaN（0001）表面生长的ZnO晶体极性的关键是Zn-O相互作用。我们建议，在N端GaN（0001）表面上生长Zn极性ZnO晶体的最佳初始生长条件是合适的低温和化学计量生长条件，这会削弱Zn-O相互作用的影响。

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