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Analysis of Low Metallic Contamination on Silicon Wafer Surfaces by Vapor-Phase Treatment and Total Reflection X-ray Fluorescence Analysis

机译：气相处理和全反射X射线荧光分析法分析硅晶片表面的低金属污染

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We have developed a new practical method for quantifying metallic contaminants with concentrations as low as 10~9 atoms/ cm~2 on silicon wafer surfaces. It is named "VPT-TXRF" and uses vapor-phase treatment (VPT) with a total reflection X-ray fluorescence analysis (TXRF) system. VPT can change the form of metallic impurities on the surface from thin-film type to paniculate type and thus the detected X-ray intensity is increased because of the inherent nature of TXRF, namely, the angular dependence of fluorescence yield. By this method, high sensitivity was achieved within a practical measuring time of 500 s, while maintaining the original surface contamination distribution of the wafers. We are convinced that this method will become the most useful monitoring method for the critical process contamination of the future ultra-large-scale-integration (ULSI) manufacturing line.
机译：我们已经开发出一种新的实用方法，用于量化硅晶片表面上浓度低至10〜9原子/ cm〜2的金属污染物。它被命名为“ VPT-TXRF”，并使用气相处理（VPT）和全反射X射线荧光分析（TXRF）系统。 VTX可以将表面上的金属杂质的形式从薄膜类型改变为颗粒类型，因此由于TXRF的固有性质，即荧光产量的角度依赖性，检测到的X射线强度增加。通过这种方法，可以在500 s的实际测量时间内实现高灵敏度，同时保持晶片的原始表面污染分布。我们坚信，这种方法将成为对未来超大规模集成（ULSI）生产线中关键过程污染的最有用的监控方法。

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