机译:减少具有不对称步内量子阱的光生载流子的逸出时间,并随后提高饱和光强度
Department of Applied Physics, Hanyang University, Ansan, Gyeonggi-do 426-791, Korea;
electroabsorption; quantum well; step barrier; escape time; saturation;
机译:电偏置多量子阱调制器中载流子逃逸率,激子饱和强度和饱和密度的测量
机译:使用非对称步阶内壁垒耦合双应变量子阱提高电吸收调制器的饱和光强度
机译:用于评估基于纳米TiO_2的光催化的量子产率对光强度,晶粒尺寸,载流子寿命和少数载流子扩散系数的依赖性的动力学模型:间接界面电荷转移
机译:用多GaN / AlN不对称耦合量子阱中的光生载体诱导的显着效应
机译:载流子动力学和半导体量子点中光学增益的发展。
机译:抗体生长TiO2在光子应用中的光致电荷载体寿命优化
机译:在真空沉积的CH3NH3PBI3钙钛矿薄膜中的短光致发光寿命由于光源电荷载体的快速扩散而产生的薄膜
机译:高光生载流子密度下多量子阱p-i-n调制器中跨井传输的时间分辨测量