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机译:通过各种制造工艺制备的Sm_(1 + x)Ba_(2-x)Cu_3O_y薄膜的位错密度和临界电流密度
Department of Electrical Engineering and Computer Science, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan;
SmBa_2Cu_3O_y; dislocation; flux pinning; critical current; films;
机译:低温生长技术制备的Sm_(1 + x)B_(2-x)Cu_3O_y厚膜在磁场作用下的临界电流增强
机译:通过脉冲激光沉积制备的Sm / sub 1 + x / Ba / sub 2-x / Cu / sub 3 / O / sub 6 + / spl delta //薄膜中临界电流密度的磁场依赖性
机译:$ {rm Sm} _ {1 + x} {rm Ba} _ {2-x} {rm Cu} _ {3} {rm O} _ {y} $中的临界电流密度和微观结构的磁场依赖性金属基板
机译:液相外延制备Sm_(1 + x)Ba_(2-x)Cu_3O_y薄膜的初始生长机理
机译:通过CVD硼薄膜的异位退火生长的超导二硼化镁薄膜中的临界电流密度的研究。
机译:通过DUV辅助溶液沉积工艺制备的YBa2Cu3O7-x超导膜的高临界电流密度
机译:通过无氟金属有机沉积制备的YBCO膜中MeV能离子的辐照提高场内临界电流密度
机译:在双轴织构金属基板上外延沉积YBCO厚膜制备高临界电流密度超导带