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首页> 外文期刊>Japanese Journal of Applied Physics. Part 2, Letters & Express Letters >Terahertz Plasma Waves in Gated Graphene Heterostructures
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Terahertz Plasma Waves in Gated Graphene Heterostructures

机译：门控石墨烯异质结构中的太赫兹等离子体波

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Plasma waves in graphene-based heterostructures with massless (neutrino-like) two-dimensional electron gas and with a highly conducting substrate (n~+-Si) serving as a gate and an isolating gate layer (SiO_2) are studied. Using the developed model, we show that the sufficiently long plasma waves exhibit a linear (sound-like) dispersion with the wave velocity determined by the gate layer thickness and the gate voltage. The plasma wave velocity in graphene heterostructures can significantly exceed the plasma wave velocity in the commonly employed semiconductor gated heterostructures. The gated graphene heterostructures can be used in different novel voltage tunable THz devices which utilize the plasma waves.
机译：研究了石墨烯基异质结构中的等离子体波，该等离子体结构具有无质量的（类似中微子的）二维电子气，并且具有高导电衬底（n〜+ -Si）作为栅极和隔离栅层（SiO_2）。使用开发的模型，我们显示足够长的等离子波表现出线性（类似于声音）的色散，其波速由栅极层的厚度和栅极电压决定。石墨烯异质结构中的等离子波速度可能大大超过常用的半导体门控异质结构中的等离子波速度。选通的石墨烯异质结构可用于利用等离子体波的不同新型电压可调太赫兹器件中。

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