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首页> 外文期刊>Japanese Journal of Applied Physics. Part 2, Letters & Express Letters >Retention Mechanism of Localized Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon Embedded NOR Device
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Retention Mechanism of Localized Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon Embedded NOR Device

机译：局部氧化硅-氮化物-氧化硅-硅嵌入式NOR器件的保持机制

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Reliability studies of localized oxide-nitride-oxide memory (LONOM) devices are presented. The observed reduction in channel threshold voltage as a result of the retention charge loss of a programmed cell is demonstrated in terms of vertical leakage paths. Despite the apparent controversy of charge transport with nitride read-only memory (NROM) devices, the vertical paths are evidently observed via the channel and junction threshold voltage changes, which were monitored using Ⅰ_(ds)-Ⅴ_(ds) curves and gate-induced drain leakage (GIDL) measurements, visualizing the internal status of interface charges and stored charges in a nitride layer.
机译：提出了局部氧化物-氮化物-氧化物存储器（LONOM）器件的可靠性研究。观察到的由于编程单元的保持电荷损失而导致的沟道阈值电压的降低是通过垂直泄漏路径来证明的。尽管氮化物只读存储器（NROM）器件对电荷传输存在明显争议，但通过沟道和结阈值电压变化可以明显观察到垂直路径，并使用Ⅰ_（ds）-Ⅴ_（ds）曲线和栅极感应漏泄（GIDL）测量，可视化界面电荷和氮化物层中存储的电荷的内部状态。

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