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机译:Si(111)/ SiO_2 / Twisted-Si(111)隧穿结构中的Fowler-Nordheim电流振荡
Research Institute of Electronics, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, Japan;
transverse momentum conservation; fowler-nordheim tunneling; fowler-nordheim current oscillations; Si/SiO_2/Si structures;
机译:过渡区对超薄MOS结构中直接隧穿电流和Fowler-Nordheim隧穿电流振荡的影响
机译:在应用氧化物场校正后,利用跨金属氧化物半导体结构的Fowler-Nordheim隧穿特性确定SiO_2和SiC导带偏移中的空穴有效质量
机译:Si / SiO_2 / Si结构中的隧穿电流振荡
机译:扫描振动探针/ 1-链烷醇自组装单层(SAM)/ Au(111)结构的隧穿电流 - 距离特性
机译:扫描隧道显微镜研究铑(111)和铂(111)单晶表面上分子单层的结构和动力学。
机译:Ag(111)上生长的硅层的原子结构:扫描隧道显微镜和非接触式原子力显微镜观察。
机译:在siO_2和ag(111)表面上的dotriacontane薄膜的结构和生长:同步辐射X射线散射和分子动力学模拟