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机译:铁电BaMgF_4单晶的孤立畴结构及其极性-表面不对称性
Optronic Materials Center, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan;
BaMgF_4 single crystal; ferroelectric domain; polar surface; domain wall energy;
机译:BaMgF_4单晶中的铁电畴现象和微畴工程
机译:原子力显微镜尖端场中铁电Bamgf_4单晶的畴壁厚度变化
机译:压电响应力显微镜观察BaMgF_4铁电晶体的畴生长动力学和壁应变行为
机译:在Pt(111)/ SiO_2 / Si(100)上生长的BaMgF_4薄膜的铁电性能和晶体结构
机译:测量和改变钙钛矿单晶中铁电畴的结构。
机译:在高应变率载荷下从畴工程弛豫铁电单晶中获得的超高能量密度
机译:压电/铁电Pb(In1 / 2Nb1 / 2)O3-Pb(Zn1 / 3Nb2 / 3)O3-PbTiO3单晶的向晶畴结构和介电弛豫
机译:1.创新的基于弛豫的压电晶体:相图,晶体生长,畴结构和电性质。基于准同型相界合成,表征和结构 - 性质关系的压电和铁电材料