Mode-Coupling Effects in Non-Equilibrium Green's Function Device Simulation

Hiroshi TAKEDA; Nobuya MORI

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Mode-Coupling Effects in Non-Equilibrium Green's Function Device Simulation

机译：非平衡格林功能器件仿真中的模式耦合效应

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We performed non-equilibrium Green's function (NEGF) simulations for a double-gate (DG) silicon-on-insulator (SOI) metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors (MOSFETs) with an extra SiO_2 bump, which enables us to modulate the mode-energy profile. Comparing the numerical results of real-space, coupled-mode space, and decoupled-mode space methods for expanding the Green's function, we estimate the accuracy of the mode space scheme and study mode-coupling effects on the source-to-drain current.

机译：我们对带有额外SiO_2凸点的双栅（DG）绝缘体上硅（SOI）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）进行了非平衡格林函数（NEGF）仿真。调节模式能量分布。比较实空间，耦合模式空间和解耦模式空间方法扩展格林函数的数值结果，我们估计了模式空间方案的准确性，并研究了模式耦合对源-漏电流的影响。

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来源
《Japanese Journal of Applied Physics. Part 1, Regular Papers & Short Notes》 |2005年第4b期|p.2664-2668|共5页
作者
Hiroshi TAKEDA; Nobuya MORI;
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作者单位

Department of Electronic Engineering, Osaka University, 2-1 Yamada-oka, Suita, Osaka 565-0871, Japan;

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类应用物理学;
关键词
MOSFET; SOI-MOSFET; nanoscale device; quantum transport; non-equilibrium Green's function method; ballistic transport;

机译：MOSFET;SOI-MOSFET;纳米器件;量子传输;非平衡格林函数法;弹道传输;

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