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Comparative Study on the Properties of GaNAs/GaAs Triple Quantum Wells Annealed by Different Methods

机译：不同方法退火的GaNAs / GaAs三量子阱性质的比较研究

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GaNAs/GaAs triple quantum wells (QWs) grown by chemical beam epitaxy are annealed by two methods, ex situ rapid thermal annealing (RTA) and in situ annealing in a growth chamber followed by ex situ RTA (NRTA). The effects of annealing method on the structural, morphological, and optical properties of the QWs are studied comparatively. The results show that although there is surface desorption for both RTA and NRTA, the holes on the sample surface after desorption are clearly different. RTA is better than NRTA from the viewpoints of both surface morphology and optical properties.
机译：通过化学束外延生长的GaNAs / GaAs三重量子阱（QW）通过两种方法进行退火：异位快速热退火（RTA）和在生长室中进行原位退火，然后进行异位RTA（NRTA）。比较研究了退火方法对量子阱的结构，形貌和光学性质的影响。结果表明，尽管RTA和NRTA都有表面脱附，但脱附后样品表面的孔明显不同。从表面形态和光学性能的角度来看，RTA比NRTA更好。

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