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机译:Pb(Zr,Ti)O_3薄膜的高温金属有机化学气相沉积对混合Pt / IrO_2 / Ir叠层和单层Ir底电极结构稳定性的影响
Memory Research and Development Division, Hynix Semiconductor Inc., San 136-1, Ami-ri, Bubal-eup, Icheon-si, Kyoungki-do 467-701, Korea;
PZT; MOCVD; Pt; Ir; structural stability;
机译:Pb(Zr,Ti)O_3薄膜直接注入金属有机化学气相沉积中IrO_2底电极的热化学稳定性
机译:金属有机化学气相沉积用晶格匹配的(111)SrRuO_3 / Pt底电极低温制备(111)取向的Pb(Zr,Ti)O_3薄膜
机译:Ir-Ru合金电极上PbZr_xTi_(1-x)O_3薄膜的金属有机化学气相沉积
机译:IR电极原位表面处理在Pb金属 - 有机化学气相沉积前的原位表面处理(Zr
机译:通过金属有机化学气相沉积相选择合成Tl-Ba-Ca-Cu-O薄膜和多层结构。工艺优化,相变,电学表征和微结构发展。
机译:金属有机化学气相沉积(MOCVD)异质外延Pr0.7Ca0.3MnO3薄膜的合成:工艺条件对结构/形态和功能特性的影响
机译:新型单固体源金属有机化学气相沉积法制备pbTiO {sub 3}和pb(Zr {sub x} Ti {sub 1 {minus} x})O {sub 3}薄膜
机译:新型单固体源金属有机化学气相沉积法制备pbTiO {sub 3}和pb(Zr {sub x} Ti {sub 1 {minus} x})O {sub 3}薄膜