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首页> 外文期刊>Japanese Journal of Applied Physics. Part 2, Letters >Surfactant Effect of Sb on GaInAs Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy
【24h】

Surfactant Effect of Sb on GaInAs Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy

机译：Sb对分子束外延生长GaInAs量子点的表面活性作用

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A surfactant effect of antimony (Sb) was investigated for self-assembled GalnAs quantum dots (QDs). The introduction of Sb into the QDs cause a large blue shift of the photoluminescence (PL) wavelength with a decrease in the full width at half maximum (FWHM) and an increase in intensity in comparison with QDs without Sb. Atomic force microscope (AFM) measurement showed a marked reduction in QD density from 1.0 x 10~(10) cm~(-2) to 7.0 x 10~7 cm~(-2). This indicates that Sb suppresses the formation of QDs and that the wetting layer remains to be a quantum well (QW) structure. The PL wavelength of the GaInAsSb wetting layer was elongated by increasing the amount of Sb supply. This result indicates the expansion of the critical thickness of the growth mode change from 2D to 3D.
机译：研究了锑（Sb）的表面活性剂效应对自组装GalnAs量子点（QDs）的影响。与没有Sb的QD相比，将Sb引入QD会导致光致发光（PL）波长发生较大的蓝移，同时半峰全宽（FWHM）减小，强度增加。原子力显微镜（AFM）测量显示QD密度从1.0 x 10〜（10）cm〜（-2）显着降低到7.0 x 10〜7 cm〜（-2）。这表明Sb抑制了QD的形成，并且润湿层仍然是量子阱（QW）结构。 GaInAsSb润湿层的PL波长通过增加Sb的供给量而延长。该结果表明，生长模式的临界厚度从2D扩展到3D。

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