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首页> 外文期刊>Japanese journal of applied physics >Monte Carlo simulation of random dopant fluctuation in O-V characteristics using image charge model and adequately determined length scale
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Monte Carlo simulation of random dopant fluctuation in O-V characteristics using image charge model and adequately determined length scale

机译：使用图像电荷模型和适当确定的长度尺度，对O-V特性中随机掺杂物波动的Monte Carlo模拟

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In recent years, it has been under discussion how the distribution of discrete dopant ions affects the performance of electron devices. In particular, dopant ions near the interface may not be surrounded by a sufficient number of carriers to achieve full screening. In addition, the screening effect is modeled assuming equilibrium, which cannot be validated. Therefore, the device modeling of the screening effect must be refined to cover the entire range of applied voltages. In the present work, we adequately define the length scale covering the entire voltage region in the capacitancevoltage (C-V) characteristics. Furthermore, we propose an image charge model for residual long-range potential of dopant ions near the interface. The Monte Carlo simulation of random dopant fluctuation in the C-V characteristics of 100 samples of MOS capacitors demonstrates that the main contributor to random dopant fluctuation is the location fluctuation of discrete dopant ions. (C) 2019 The Japan Society of Applied Physics.
机译：近年来，已经讨论了离散掺杂剂离子的分布如何影响电子器件的性能。特别地，界面附近的掺杂剂离子可能没有被足够数量的载流子包围以实现完全筛选。另外，筛选效果是在假设平衡的情况下建模的，这无法得到验证。因此，必须完善屏蔽效果的器件模型，以覆盖施加电压的整个范围。在当前的工作中，我们在电容电压（C-V）特性中适当定义了覆盖整个电压区域的长度刻度。此外，我们提出了一种界面附近掺杂离子的残留长距离电势的图像电荷模型。 MOS电容器的100个样本的C-V特性中的随机掺杂物波动的蒙特卡洛模拟表明，造成随机掺杂物波动的主要因素是离散掺杂剂离子的位置波动。 （C）2019日本应用物理学会。

著录项

  • 来源
    《Japanese journal of applied physics》 |2019年第9期|091004.1-091004.10|共10页
  • 作者

    Chih-Wei Yao; Sano Nobuyuki; Watanabe Hiroshi;

  • 作者单位

    Natl Chiao Tung Univ Dept Commun Engn Hsinchu 30010 Taiwan;

    Univ Tsukuba Inst Appl Phys Tsukuba Ibaraki 3058573 Japan;

    Natl Chiao Tung Univ Dept Comp & Elect Engn Hsinchu 30010 Taiwan;

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