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【24h】

Self-Assembling Formation of Ni Nanodots on SiO_2 Induced by Remote H_2 Plasma Treatment and Their Electrical Charging Characteristics

机译:远程H_2等离子体处理及其电荷特性诱导SiO_2的Ni纳米镍的自组装形成及其电力充电特性

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摘要

We fabricated nanometer-scale Ni dots and NiSi dots on an ultrathin SiO_2 layer using remote H_2 plasma and demonstrated the feasibility of remote H_2 plasma treatment for controlling the areal density of the dots. 1.8-nm-thick-Ni/SiO_2 and Ni/Si-quantum
机译:我们使用远程H_2等离子体在超薄SiO_2层上制造纳米级Ni点和NISI点,并证明了远程H_2等离子体处理的可行性,用于控制点的面部密度。 1.8-nm厚Ni / siO_2和Ni / Si-utqualum

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