Corrigendum: 'Proximity gettering technique using CH_3O multielement molecular ion implantation for white spot defect density reduction in CMOS image sensor' [Jpn. J. Appl. Phys. 58, 091002 (2019)]

Hirose Ryo; Kadono Takeshi; Okuyama Ryosuke; Onaka-Masada Ayumi; Shigematsu Satoshi; Kobayashi Koji; Koga Yoshihiro; Kurita Kazunari

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Corrigendum: 'Proximity gettering technique using CH_3O multielement molecular ion implantation for white spot defect density reduction in CMOS image sensor' [Jpn. J. Appl. Phys. 58, 091002 (2019)]

机译：逆变：'接近吸收技术使用CH_3O多元素分子离子注入，用于CMOS图像传感器的白色点缺陷密度降低[JPN。 J. Appl。物理。 58,091002（2019）]

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《Japanese journal of applied physics》 |2019年第10期|109301.1-109301.1|共1页
作者
Hirose Ryo; Kadono Takeshi; Okuyama Ryosuke; Onaka-Masada Ayumi; Shigematsu Satoshi; Kobayashi Koji; Koga Yoshihiro; Kurita Kazunari;
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作者单位

SUMCO Corp Imari Saga 8494256 Japan;

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