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机译:化学扩增极紫外抗蚀剂化学梯度对化学梯度的光耐药猝灭剂浓度效应的回归分析
Osaka Univ Inst Sci & Ind Res Ibaraki Osaka 5670047 Japan;
Osaka Univ Inst Sci & Ind Res Ibaraki Osaka 5670047 Japan;
EUV lithography; chemically amplified resist; photodecomposable quencher; line edge roughness; machine learning;
机译:光分解猝灭剂的扩散常数对化学放大的极紫外抗蚀剂化学梯度的影响
机译:化学放大的极紫外抗蚀剂中光分解猝灭剂与产酸剂的最佳浓度比
机译:剂量偏移对光可分解淬灭剂化学放大的极紫外抗蚀剂中线宽,线边缘粗糙度和随机缺陷产生的影响
机译:化学扩增极紫外线抗蚀剂化学梯度对化学梯度的光致沉积猝灭剂浓度作用的回归分析
机译:砷化镓晶片的表面化学研究在化学放大的抗蚀剂构图过程中进行,并通过荧光进行抗蚀剂研究。
机译:硅藻Phaeodactylum tricornutum中的光化学和非光化学荧光猝灭过程。
机译:光致密基础。一种稳定化学放大抗蚀剂的新颖概念。