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Laue microdiffraction evaluation of bending stress in Au wiring formed on chip-embedded flexible hybrid electronics

机译：芯片嵌入式柔性混合电子产品中形成的Au布线弯曲应力的Laue Microdiffraction评价

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Au redistribution layers 10 to 100 mu m wide were fabricated on heterogeneously integrated advanced flexible hybrid electronics (FHE) substrates formed by a die-first approach based on fan-out wafer-level packaging. The formed Au metal wiring was meticulously studied for locally induced mechanical stress upon bending (bending radius, BR 20 mm) using Laue microdiffraction (L mu D) with synchrotron radiation. It was inferred from the L mu D data that upon bending the FHE substrate up to the BR of 20 mm, the Au metal wiring (10 mm long, 100 mu m wide, and 500 nm thick) experienced mechanical bending stress amounting to 250 similar to 300 MPa. The stress values obtained from the L mu D studies were close to the stress value of 350 MPa obtained by simulation.
机译：在基于扇出晶片级包装的模具第一方法形成的非渗透集成的先进柔性混合电子（FHE）基板上制造了10至100μm宽的Au再分配层。 通过具有同步辐射的Laue Microdiffraction（L Mu D），在弯曲（弯曲半径，BR 20mm）时，精致地研究了形成的AU金属布线。 从L MU D数据推断，在将FHE基板弯曲到20mm的BR弯曲时，Au金属布线（10mm长，100μm宽，500nm厚）经历了250相似的机械弯曲应力 到300 mpa。 从L MU D研究中获得的应力值接近通过模拟获得的350MPa的应力值。

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