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首页> 外文期刊>Japanese journal of applied physics >Electronic structures of puckered bilayer group-V two-dimensional materials: group theoretical analysis
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Electronic structures of puckered bilayer group-V two-dimensional materials: group theoretical analysis

机译：褶皱双层组-V二维材料的电子结构：组理论分析

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We systematically study geometries and band structures of two-dimensional group-V bilayer materials, i.e. phosphorene, arsenene and antimonene. Among the four stacking structures (AA, AB, AC, and AD), the AB stacking structures are found to be the largest band gaps and to be the most energetically stable. We find novel band structures on the whole Brillouin zone edges: four bands have close energies and two of the four bands have the same energy in many cases. We analyze the characteristic features of the band structures based on the group theory and clarify that the features depend on the space group of each stacking structure. We also find that the band splits due to the interlayer interaction is very small and this interaction becomes large as atoms become heavy.
机译：我们系统地研究二维基团-V双层材料的几何和带结构，即磷烯，亚苯乙烯和锑。 在四个堆叠结构（AA，AB，AC和AD）中，AB堆叠结构被发现是最大的带空隙，并且是最能稳定的带空隙。 我们在整个Brillouin区域的边缘中找到了新的带结构：四个频段具有近距离能量，并且在许多情况下，四个频段中的两个具有相同的能量。 我们基于组理论分析频带结构的特征，并阐明了特征取决于每个堆叠结构的空间组。 我们还发现，由于层间相互作用引起的频带分裂非常小，并且这种相互作用变大，因为原子变得沉重。

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