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机译:通过位移电流测量检查有机场效应晶体管中的Au,Cu和Al触点
Department of Chemical Engineering and Materials Science, University of Minnesota, Minneapolis,Minnesota 55455, USA;
Department of Electrical and Computer Engineering, University of Minnesota, Minneapolis,Minnesota 55455, USA;
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机译:通过位移电流测量对具有前景的半导体和不同接触金属的有机场效应器件中的电荷陷阱进行全面研究
机译:Au顶部接触电极的空穴注入势垒不可重现的根源及其对顶部接触有机场效应晶体管中器件性能的影响
机译:来自AU顶部接触电极的空穴注入屏障的IRREPRODUICIACIAL的起源及其对顶部触点有机场效应晶体管中的器件性能的影响
机译:通过位移电流测量评估基于不同有机半导体的有机薄膜晶体管中的电荷载流子注入,提取和俘获动力学
机译:探索用于制造和表征有机场效应晶体管的新方法,并研究影响OFET性能的因素。
机译:联系测量的双极有机场效应晶体管的电阻通过共焦光致发光电调制显微镜
机译:单晶场效应晶体管中的有机金属-有机半导体混合触点