...
机译:多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物半导体场效应晶体管中跨晶界的导电模型
Department of Physics, Graphic Era University, Dehradun, Uttarakhand 248001, India;
Department of Physics, D.B.S. (PG) College, Dehradun, Uttarakhand, India;
机译:具有垂直于沟道的位置受控晶界的激光结晶多晶硅氧化硅氮化物氧化硅薄膜晶体管的存储特性
机译:具有垂直于沟道的位置受控晶界的激光结晶多晶硅氧化硅氮化物氧化硅薄膜晶体管的存储特性
机译:氮流量比与溅射氮化钛栅体平面金属氧化物半导体场效应晶体管和鳍型金属氧化物半导体场效应晶体管电学特性的比较研究
机译:顺序横向凝固的多晶硅薄膜晶体管的晶界表征
机译:氧化镓金属氧化物半导体场效应晶体管的分析建模和功率晶体管设计行业
机译:具有固溶处理的金属氧化物半导体和介电膜的可穿戴式1 V工作薄膜晶体管通过低温深紫外光退火在低温下制成
机译:支持和解释mOsavanvés:dispositif FD-sOI,transistor sans jonctions(JLT)ettransistoràcoucheminceàlele-conducteur d'oxyde amorphe。高级mOs器件的电气特性和建模:FD-sOI器件,无结晶体管和非晶氧化物半导体薄膜晶体管
机译:在蓝宝石上的500 a薄膜硅中制造具有0.2微米栅极长度的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。 (重新公布新的可用性信息)