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机译:设计磷和砷双施主掺杂锗中的自由空位和活性施主浓度
Department of Materials, Imperial College London, London SW7 2BP, United Kingdom;
Department of Materials, Imperial College London, London SW7 2BP, United Kingdom;
Institut fuer Materialphysik, Universitaet Muenster, Wilhelm-Klemm-Strasse 10, D-48149 Muenster, Germany;
Materials Science and Technology Division, Los Alamos National Laboratory, Los Alamos, New Mexico 87545, USA;
机译:GeCl_4与一些磷和砷供体配体的反应;锗(II)配合物[Bu_3〜nPCl] [GeCl_3]和锗(IV)配合物GeCl_4(AsMe_3)_2的晶体结构,Ge〜(IV)的三价rs复合物的第一个报道实例
机译:通过砷注入和激光退火锗中的空位给体配合物进行电补偿
机译:钡空位形成机理对施主掺杂BaTiO3陶瓷耐室温性和PTCR效应的定量计算
机译:砷掺杂锗在低温下的中间供体浓度的敏感锗
机译:在当前和二氧化碳浓度增加一倍的情况下,白桦幼苗对土壤温度和磷供应的生态生理响应
机译:受体和施主掺杂对锆钛酸铅(PZT)中氧空位浓度的影响
机译:设计磷和砷双供体掺杂锗中的自由空位和活性供体浓度