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机译:准一维光伏半导体SB_2S_3中的外在掺杂剂:第一原理研究
Key Laboratory of Polar Materials and Devices (MOE) Department of Electronics East China Normal University Shanghai 200241 China;
Key Laboratory of Polar Materials and Devices (MOE) Department of Electronics East China Normal University Shanghai 200241 China Collaborative Innovation Center of Extreme Optics Shanxi University Shanxi 030006 China;
机译:第一性原理研究光电半导体Cu2GeS3和Cu2ZnGeS4中的缺陷形成,以与Cu2SnS3,Cu2ZnSnS4和CuInSe2比较
机译:CuSbS2和CuSbSe2光电半导体电子结构的第一性原理研究
机译:岩盐衍生结构中富含地球的光伏半导体NaSbS2:第一性原理研究
机译:半导体敏化太阳能电池(TiO_2 / Sb_2S_3 / CuSCN)的吸收剂Sb_2S_3和p型半导体CuSCN的微观结构控制
机译:基于二氧化钛的稀磁半导体的研究 - 缺陷和掺杂剂的作用
机译:从第一性原理计算准一维超导体K2Cr3As3的电子结构
机译:准一维光伏半导体SB2Se3的复杂和非常规缺陷性能