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机译:使用电阻切换ZnO同性氮二极管在横杆存储器阵列中寻址串扰
Department of Physics Oklahoma State University Stillwater Oklahoma 74078 USA;
Department of Physics Western Mindanao State University Normal Road Baliwasan Zamboanga City 7000 Philippines;
Department of Physics Oklahoma State University Stillwater Oklahoma 74078 USA;
Department of Physics Oklahoma State University Stillwater Oklahoma 74078 USA;
Department of Physics PSG College of Technology Coimbatore 641 004 India;
Department of Physics Oklahoma State University Stillwater Oklahoma 74078 USA;
机译:由堆叠肖特基二极管和单极电阻存储器组成的32×32交叉开关阵列电阻存储器
机译:电阻切换参数在电阻随机存取存储器交叉杆阵列的影响
机译:在用于电阻随机存取存储器的8 x 8 Pt / NiNx / Ti / TiN交叉开关阵列结构中观察到稳定的双极电阻开关特性
机译:三维交叉开关结构中的电阻式开关存储器的热串扰仿真
机译:基于五氧化二铜-铂金器件结构的纳米交叉电阻开关存储器的制作
机译:基于TEM的p + -Si / n-ZnO异质结构的单二极管一电阻存储器中的电阻切换机制
机译:下一代内存:双层堆叠的一个二极管 - 一个电阻开关内存横杆阵列,极高的整流比为109(ADV。电子。Matter。7/2017)