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Towards understanding junction degradation in cadmium telluride solar cells

机译：旨在了解碲化镉太阳能电池的结降解

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A degradation mechanism in cadmium telluride (CdTe/CdS) solar cells is investigated using time-dependent numerical modeling to simulate various temperature, bias, and illumination stress conditions. The physical mechanism is based on defect generation rates that are proportional to nonequilibrium charge carrier concentrations. It is found that a commonly observed degradation mode for CdTe/CdS solar cells can be reproduced only if defects are allowed to form in a narrow region of the absorber layer close to the CdTe/CdS junction. A key aspect of this junction degradation is that both mid-gap donor and shallow acceptor-type defects must be generated simultaneously in response to photo-excitation or applied bias. The numerical approach employed here can be extended to study other mechanisms for any photovoltaic technology.
机译：使用时间相关的数值模型研究了碲化镉（CdTe / CdS）太阳能电池的降解机理，以模拟各种温度，偏压和照明应力条件。物理机制基于与非平衡载流子浓度成比例的缺陷产生率。发现只有在允许吸收剂层的靠近CdTe / CdS结的狭窄区域中形成缺陷的情况下，才能再现通常观察到的CdTe / CdS太阳能电池的降解模式。这种结退化的关键方面是，必须响应光激发或施加的偏压同时产生中间隙供体和浅受体型缺陷。此处采用的数值方法可以扩展为研究任何光伏技术的其他机制。

著录项

  • 来源
    《Journal of Applied Physics》 |2014年第23期|1-9|共9页
  • 作者

    Nardone Marco;

  • 作者单位

    Department of Environment and Sustainability, Bowling Green State University, Bowling Green, Ohio 43403, USA|c|;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
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