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机译:勘误表:“离子束溅射Si / CoFeB(8)/ MgO(4)/ CoFeB(8)/ Ta(5)结构中的磁化动力学和界面研究” [J.应用物理115,17D127(2014)]
Thin Film Laboratory, Department of Physics, Indian Institute of Technology Delhi, New Delhi 110016, India;
机译:离子束溅射Si / CoFeB(8)/ MgO(4)/ CoFeB(8)/ Ta(5)结构中的磁化动力学和界面研究
机译:界面对离子束溅射Si / CoFeB / MgO和Si / MgO / CoFeB双层Co_(20)Fe_(60)B_(20)磁性的影响
机译:勘误表:“垂直磁隧道结中自旋重新取向的电场控制-CoFeB和MgO的厚度依赖性”物理来吧105,042410(2014)]
机译:在CoFeB / MgO / CoFeB磁隧道交界处的CoFeB层和MgO阻挡层之间的界面处的退火诱导的固相外延
机译:原位光谱椭圆偏振法研究直流反应磁控溅射沉积的硅膜的结晶度和界面结构。
机译:CoFeB / MgO / CoFeB磁性隧道结中的电压感应磁化动力学
机译:错误:“高分辨率X射线衍射分析Alxga1-XN / Inxga1-Xn / GaN上的蓝宝石多层结构:理论,模拟和实验观察”J。苹果。物理。 115,174507(2014)