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机译:对“关于“基板上石墨烯高场传输的理论分析”的评论”的回应[J.应用物理116,236101(2014)]
Electrical and Computer Engineering, University of Illinois, Urbana-Champaign, Illinois 61801, USA;
机译:回应“关于'石墨烯在基片上的高场传输的理论分析的评论” [J.应用物理116,236101(2014)]
机译:评论“衬底上石墨烯中高场输运的理论分析” [J.应用物理116,034507(2014)]
机译:评论“衬底上石墨烯中高场输运的理论分析” [J.应用物理116,034507(2014)]
机译:取决于衬底的石墨烯晶体管的高场传输
机译:石墨烯晶体管中与衬底有关的高场传输和自热
机译:对关于由3D计算机计划系统执行的独立监视单元计算的确证的评论 J.应用临床中物理2102(2001)
机译:响应铁磁/反铁磁性双层交换偏置厚度和角度依赖性的“评论”J。苹果。物理。 92,1009(2002)和“交换偏压的厚度依赖性和矫顽力与反铁磁层的铁磁层”J.苹果。物理。 94,2529(2003)“