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【24h】

Effect of surface recombination on the decay of excess minority carriers in semiconductors induced by finely focused picosecond pulsed laser beams

机译：表面重组对精细聚焦的皮秒脉冲激光束引起的半导体中多余的少数载流子衰减的影响

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A study is carried out of the effect of surface recombination on the decay of the excess minority carrier population induced in a semiconductor sample by a very short pulse of a finely focused laser beam. An expression is obtained for this decay in a substantially simplified form, which can be readily computed numerically. Some sample calculations are presented, which show that, in agreement with previous experimental observations, this effect is important only for the initial part of the decay and only for large values of surface recombination velocity (≫104 cm/sec) and absorption coefficient. If the initial fast portion of the decay is neglected, the minority carrier lifetime can be determined fairly accurately from the average slope of the remaining part of the decay, the resultant error being typically up to 15%.
机译：研究了表面重组对精细聚焦激光束的非常短的脉冲在半导体样品中引起的过量少数载流子种群衰减的影响。对于这种衰减，可以以基本上简化的形式获得一个表达式，可以很容易地通过数值计算。提出了一些样本计算结果，这些结果表明，与先前的实验观察一致，此效应仅对衰减的初始部分重要，并且仅对较大的表面重组速度（≫104 cm / sec）和吸收系数值重要。如果忽略了衰减的初始快速部分，则可以从衰减的其余部分的平均斜率相当准确地确定少数载流子的寿命，由此产生的误差通常高达15％。

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  • 来源
    《Journal of Applied Physics》 |1984年第6期|P.1797-1800|共4页
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  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
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