...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Journal of Applied Physics >Transient capacitance spectroscopy in polycrystalline silicon
【24h】

Transient capacitance spectroscopy in polycrystalline silicon

机译：多晶硅中的瞬态电容光谱

获取原文
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

We have performed deep level transient spectroscopy (DLTS) on 5 Ω cm p‐type polycrystalline silicon. Typical DLTS spectra exhibit three peaks centered at 250, 300, and 340 K. The density of states which is estimated from these spectra is found to extend from 0.18 eV of the valence band with a density ∼ 2×1015 eV-1 cm-2. Measurements of capture rates have shown a characteristic trap filling time of ∼10-3 s corresponding to an apparent capture cross section of the order of 10-21 cm2. Studies of the passivation (in a deuterium plasma) of these boundary states have also been made. In that case, the DLTS spectra present only one significant peak at 245 K; the density of states of the unpassivated material is reduced to localized states centered at 0.32 eV from the valence band with a concentration of 5.6×1014 cm-2. The capture cross section of these states is 3.7×10-20 cm2.
机译：我们已经对5Ωcmcm p型多晶硅进行了深层瞬态光谱（DLTS）。典型的DLTS光谱显示三个中心在250、300和340 K的峰。从这些光谱估计的态密度发现从价带的0.18 eV扩展，密度约为2×1015 eV-1 cm-2。 。捕集速率的测量表明，特征捕集阱充满时间约为10-3 s，对应于10-21 cm2数量级的表观捕集截面。还已经研究了这些边界态的钝化（在氘等离子体中）。在这种情况下，DLTS光谱在245 K处仅出现一个明显的峰；未钝化材料的态密度降低到离价带中心为0.32 eV的局部态，浓度为5.6×1014 cm-2。这些状态的捕获横截面为3.7×10-20 cm2。

著录项

  • 来源
    《Journal of Applied Physics》 |1982年第12期|P.8633-8638|共6页
  • 作者

  • 作者单位
  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号