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Lateral mode selection in semiconductor injection lasers

机译：半导体注入激光器中的横向模式选择

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Various methods have been used to control the lateral modes of injection lasers. We report on lateral mode selection in continuous‐wave double‐heterojunction lasers using the differential diffraction losses of different modes at a narrow reflector stripe on one emitting facet. Power output curves and far‐field beam patterns scanned in the lateral (junction) plane are shown both before and after an antireflection coating was deposited on one facet except in a narrow stripe. The stripe defines the mode‐selecting reflective region. Calculations, based on a simple model of DH injection lasers, are made by estimating the magnitude of the effect. Output powers of 12 mW from one facet were obtained.
机译：已经使用各种方法来控制注入激光器的横向模式。我们报告了在连续波双异质结激光器中的横向模式选择，该模式使用一个发射面上狭窄的反射带上不同模式的差分衍射损耗。图中显示了在侧面（结）平面上扫描的功率输出曲线和远场光束图案，在抗反射涂层沉积在一个小面上（窄带除外）之前和之后都已显示。条纹定义了模式选择反射区域。根据DH注入激光的简单模型，通过估算影响的大小进行计算。从一个小面获得12 mW的输出功率。

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  • 来源
    《Journal of Applied Physics》 |1977年第7期|P.3122-3124|共3页
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  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
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